| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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FDG315N |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | Fairchild Semiconductor | 6168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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FDG315N参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 包装数量：3000 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：30V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：120 毫欧 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：220pF @ 15V 功率 - 最大值：480mW 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 陶瓷电容器K470K10C0GF5UL2 PMIC - 监控TPS3838E18DBVR 薄膜电容器B32231D8474M000 陶瓷电容器DHS4E4A122MHXB FET - 阵列SI1539DL-T1-GE3 Card EdgeEMM08DTAH-S189 Card EdgeACC17DRES-S734 嵌入式 - FPGLFXP20E-4F484I 圆形MS3102E20-12S Card EdgeEYM12DRMD-S664 |
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